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TK14E65W5,S1X Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220AB

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 690µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series DTMOSIV
Power Dissipation (Max) 130W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-220
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300 mOhm @ 6.9A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 300V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13.7A (Ta)
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Otros incluyen   "TK14E"   partes

Las siguientes partes incluyen  'TK14E' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
TK14E65W TOSHIBA CIs Calientes Especializados 16231
TK14E65W,S1X Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2502
TK14E65W.S1X Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 300
TK14E65W5 Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 22728
TK14E65W5.S1X Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 537
TK14E65WS1X Toshiba CIs Calientes Especializados 2691

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