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TK10V60W,LVQ Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 9.7A 5DFN

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 500µA
Supplier Device Package 5-DFN (8x8)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380 mOhm @ 4.9A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 300V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series DTMOSIV
Power Dissipation (Max) 88.3W (Tc)
Package / Case 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
FET Feature Super Junction
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.7A (Ta)
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Otros incluyen   "TK10V"   partes

Las siguientes partes incluyen  'TK10V' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
TK10V60W TOSHIBA CIs Calientes Especializados 7283
TK10V60W ,LVQ(S Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 653
TK10V60W.LVQ Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 735
TK10V60WLVQ TOSHIBA CIs Calientes Especializados 5664
TK10V60WLVQ(S Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 22276

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