RN2705JE(TE85L,F) Especificaciones técnicas

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k
Power - Max 100mW
Package / Case SOT-553
Frequency - Transition 200MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package ESV
Resistor - Base (R1) (Ohms) 2.2k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RN2701 Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 6391
RN2701,LF Toshiba Semiconductor and Storage Matrices de transistores BJT
RN2701JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2690
RN2702 TOSHIBA CIs Calientes Especializados 3176
RN2702,LF Toshiba Semiconductor and Storage Matrices de transistores BJT
RN2702JE TOSHIBA CIs Calientes Especializados 11067
RN2702TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 495
RN2703,LF Toshiba Semiconductor and Storage Matrices de transistores BJT
RN2703JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2683
RN2704 TOSHIBA CIs Calientes Especializados 17295

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