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RN2702,LF Especificaciones técnicas

TRANSISTOR PNPX2 BRT Q1BSR10KOHM

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores BJT
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Package / Case 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Part Status Active
Power - Max 200mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250μA, 5mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Resistor - Base (R1) 10k Ω
RoHS Status Non-RoHS Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Frequency - Transition 200MHz
Resistor - Emitter Base (R2) 10k Ω
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RN2701 Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 6391
RN2701,LF Toshiba Semiconductor and Storage Matrices de transistores BJT
RN2701JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2690
RN2702 TOSHIBA CIs Calientes Especializados 3176
RN2702JE TOSHIBA CIs Calientes Especializados 11067
RN2702TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 495
RN2703,LF Toshiba Semiconductor and Storage Matrices de transistores BJT
RN2703JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2683
RN2704 TOSHIBA CIs Calientes Especializados 17295
RN2704,LF Toshiba Semiconductor and Storage Matrices de transistores BJT

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