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RN1131MFV(TL3,T)
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RN1131MFV(TL3,T) Especificaciones técnicas
TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | - |
Power - Max | 150mW |
Package / Case | SOT-723 |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
Supplier Device Package | VESM |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 100k |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "RN113" partes
Las siguientes partes incluyen 'RN113'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
RN1130F | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 37000 |
RN1130MFV | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 26050 |
RN1130MFV ,L3LCFF | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 11223 |
RN1130MFV tpl3 | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 8437 |
RN1130MFV(TPL3) | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 80000 |
RN1130MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2555 |
RN1131MFV | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 13987 |
RN1131MFV(TPL3) | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 48000 |
RN1131MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores BJT Pre-Biasados | |
RN1132FV | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 16338 |
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