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RN1131MFV,L3F Especificaciones técnicas
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores BJT Pre-Biasados |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 10 Weeks |
Package / Case | SOT-723 |
Part Status | Active |
Power - Max | 150mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500μA, 5mA |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA ICBO |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 100 k Ω |
RN1131MFV,L3F Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para RN1131MFV,L3F
-
Hojas de datos
Otros incluyen "RN113" partes
Las siguientes partes incluyen 'RN113'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
RN1130F | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 37000 |
RN1130MFV | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 26050 |
RN1130MFV ,L3LCFF | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 11223 |
RN1130MFV tpl3 | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 8437 |
RN1130MFV(TPL3) | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 80000 |
RN1130MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2555 |
RN1131MFV | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 13987 |
RN1131MFV(TL3,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2542 |
RN1131MFV(TPL3) | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 48000 |
RN1132FV | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 16338 |
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