HN1C01F-GR(TE85L,F Especificaciones técnicas

TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Power - Max 300mW
Package / Case SC-74, SOT-457
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector (Ic) (Max) 150mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA
Supplier Device Package SM6
Packaging Cut Tape (CT)
Operating Temperature 125°C (TJ)
Frequency - Transition 800MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
HN1C01F TOSBHIB CIs Calientes Especializados 9110
HN1C01F-G TOSHIBA CIs Calientes Especializados 3000
HN1C01F-GR TOSHIBA CIs Calientes Especializados 47023
HN1C01F-GR (TE85L TOSHIBA CIs Calientes Especializados 6189
HN1C01F-GR (TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 5800
HN1C01F-GR TE85L,F TOSHIBA CIs Calientes Especializados 24500
HN1C01F-GR(TE85L,F) TOSHIBA CIs Calientes Especializados 21000
HN1C01F-GR(TE85L.F Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 987
HN1C01F-Y TOS CIs Calientes Especializados 55501
HN1C01F-Y IC Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 15391

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