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GSID100A120T2C1A Especificaciones técnicas

IGBT MOD 1200V 200A 800W

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Módulos IGBT
Manufacturer SemiQ
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Package / Case Module
Operating Temperature -40°C~150°C
Part Status Active
Power - Max 800W
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
Current - Collector (Ic) (Max) 200A
NTC Thermistor Yes
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Chassis Mount
Supplier Device Package Module
Series Amp+™
Configuration Three Phase Inverter
Input Three Phase Bridge Rectifier
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 100A
Input Capacitance (Cies) @ Vce 13.7nF @ 25V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
GSID100A120S5C1 Global Power Technologies Group Transistores - IGBTs - Módulos 2782
GSID100A120S5C1 SemiQ Módulos IGBT
GSID100A120S5C1 Global Power Módulos IGBT
GSID100A120T2C1 Global Power Technologies Group Transistores - IGBTs - Módulos 2762
GSID100A120T2C1 SemiQ Módulos IGBT
GSID100A120T2C1A Global Power Technologies Group Transistores - IGBTs - Módulos 2521
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GSID100A120T2C1A fabricantes de marca: SemiQ, Bonchip existencias, GSID100A120T2C1A precio de referencia. GSID100A120T2C1A parámetros, GSID100A120T2C1A Hoja de datos PDF y descarga de la descripción del diagrama de pines. Puede usar el GSID100A120T2C1A Conectores enchufables, DSP Hoja de datos PDF, buscar GSID100A120T2C1A diagrama de pines y diagrama de circuito y método de uso de la función, GSID100A120T2C1A tutoriales de electrónica. Puedes descargarlos desde el Bonchip.
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