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GSID100A120T2C1 Especificaciones técnicas

SILICON IGBT MODULES

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Módulos
Manufacturer Global Power Technologies Group
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Supplier Device Package Module
Power - Max 640W
Operating Temperature -40°C ~ 150°C
Mounting Type Chassis Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Input Three Phase Bridge Rectifier
Detailed Description IGBT Module Three Phase Inverter 1200V 200A 640W Chassis Mount Module
Current - Collector (Ic) (Max) 200A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 100A
Series Amp+™
Package / Case Module
NTC Thermistor Yes
Manufacturer Standard Lead Time 8 Weeks
Input Capacitance (Cies) @ Vce 13.7nF @ 25V
IGBT Type -
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
Configuration Three Phase Inverter
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
GSID100A120S5C1 Global Power Technologies Group Transistores - IGBTs - Módulos 2782
GSID100A120S5C1 SemiQ Módulos IGBT
GSID100A120S5C1 Global Power Módulos IGBT
GSID100A120T2C1 SemiQ Módulos IGBT
GSID100A120T2C1A Global Power Technologies Group Transistores - IGBTs - Módulos 2521
GSID100A120T2C1A SemiQ Módulos IGBT
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GSID100A120T2C1 fabricantes de marca: Global Power Technologies Group, Bonchip existencias, GSID100A120T2C1 precio de referencia. GSID100A120T2C1 parámetros, GSID100A120T2C1 Hoja de datos PDF y descarga de la descripción del diagrama de pines. Puede usar el GSID100A120T2C1 Conectores enchufables, DSP Hoja de datos PDF, buscar GSID100A120T2C1 diagrama de pines y diagrama de circuito y método de uso de la función, GSID100A120T2C1 tutoriales de electrónica. Puedes descargarlos desde el Bonchip.
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