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STW70N60M2 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 68A TO247

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series MDmesh™ II Plus
Power Dissipation (Max) 450W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 118nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±25V
Supplier Device Package TO-247
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 34A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5200pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 68A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STW70N10 ST CIs Calientes Especializados 444
STW70N10F4 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 10443
STW70N60DM2 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1579
STW70N60DM2 70N60DM2 ST CIs Calientes Especializados 743
STW70N60DM2 94N65 ST CIs Calientes Especializados 1205
STW70N60DM2 94N65 MOS ST CIs Calientes Especializados 1262
STW70N60DM2 IC ST CIs Calientes Especializados 757
STW70N60M2 94N65 MOS ST CIs Calientes Especializados 1350
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