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STW70N60M2-4 Especificaciones técnicas

POWER MOSFET

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Series MDmesh™ M2
Power Dissipation (Max) 450W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5200pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 34A, 10V
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 118nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 68A (Tc)
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Otros incluyen   "STW70"   partes

Las siguientes partes incluyen  'STW70' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STW70N10 ST CIs Calientes Especializados 444
STW70N10F4 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 10443
STW70N60DM2 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1579
STW70N60DM2 70N60DM2 ST CIs Calientes Especializados 743
STW70N60DM2 94N65 ST CIs Calientes Especializados 1205
STW70N60DM2 94N65 MOS ST CIs Calientes Especializados 1262
STW70N60DM2 IC ST CIs Calientes Especializados 757
STW70N60M2 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1287
STW70N60M2 94N65 MOS ST CIs Calientes Especializados 1350
STW70N65M2 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2558

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