STW20NM60 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 20A TO-247

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series MDmesh™
Power Dissipation (Max) 192W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-247-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STW2004V1 Samsung Semiconductor CIs Calientes Especializados 330
STW200NF03 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 572
STW2040 STMicroelectronics Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 836
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