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STW20N60M2-EP Especificaciones técnicas

MOSFET N-CHANNEL 600V 13A TO247

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series MDmesh™ M2-EP
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21.7nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±25V
Supplier Device Package TO-247
Rds On (Max) @ Id, Vgs 278 mOhm @ 6.5A, 10V
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 42 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 787pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 600V 13A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-247
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STW2004V1 Samsung Semiconductor CIs Calientes Especializados 330
STW200NF03 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 572
STW2040 STMicroelectronics Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 836
STW20N65M5 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2332
STW20N90K5 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2562
STW20N95DK5 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2682
STW20N95K5 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5482
STW20N95K5 20N95K5 ST CIs Calientes Especializados 532
STW20N95K5 MOS ST CIs Calientes Especializados 10021
STW20NA50 ST CIs Calientes Especializados 13467

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