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STW20NB50 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 500V 20A TO-247

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-247-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4700pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerMESH™
Power Dissipation (Max) 250W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STW2004V1 Samsung Semiconductor CIs Calientes Especializados 330
STW200NF03 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 572
STW2040 STMicroelectronics Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 836
STW20N60M2-EP STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 0
STW20N65M5 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2332
STW20N90K5 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2562
STW20N95DK5 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2682
STW20N95K5 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5482
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