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STP11NM60N Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 10A TO-220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450 mOhm @ 5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 850pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series MDmesh™ II
Power Dissipation (Max) 90W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STP1100BGA-100 SUN CIs Calientes Especializados 2709
STP110N10F7 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 136473
STP110N10F7 MOS ST CIs Calientes Especializados 136429
STP110N55F6 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 7366
STP110N7F6 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1286
STP110N7F6 IC ST CIs Calientes Especializados 5431
STP110N7F6 MOS ST CIs Calientes Especializados 35499
STP110N8F6 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3444
STP110N8F6 MOSFETIGBTIC ST CIs Calientes Especializados 13205
STP110N8F7 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 6500

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