STP110N10F7 Especificaciones técnicas

MOSFET N CH 100V 110A TO-220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series DeepGATE™, STripFET™ VII
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-220
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7 mOhm @ 55A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5500pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 110A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STP1100BGA-100 SUN CIs Calientes Especializados 2709
STP110N10F7 MOS ST CIs Calientes Especializados 136429
STP110N55F6 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 7366
STP110N7F6 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1286
STP110N7F6 IC ST CIs Calientes Especializados 5431
STP110N7F6 MOS ST CIs Calientes Especializados 35499
STP110N8F6 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3444
STP110N8F6 MOSFETIGBTIC ST CIs Calientes Especializados 13205
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