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STI11NM80 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 800V 11A I2PAK-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package I2PAK (TO-262)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400 mOhm @ 5.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1630pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series MDmesh™
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43.6nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Tc)
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Las siguientes partes incluyen  'STI11' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STI1160A2 SUNTO CIs Calientes Especializados 15287
STI1160B2 SUNTO CIs Calientes Especializados 50000
STI11NM60ND STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2796

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