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STI11NM60ND
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STI11NM60ND Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Supplier Device Package | I2PAK |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 5A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 850pF @ 50V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | FDmesh™ II |
Power Dissipation (Max) | 90W (Tc) |
Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
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Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para STI11NM60ND
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Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen 'STI11'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
STI1160A2 | SUNTO | CIs Calientes Especializados | 15287 |
STI1160B2 | SUNTO | CIs Calientes Especializados | 50000 |
STI11NM80 | STMicroelectronics | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2786 |
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