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STI11NM60ND Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package I2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450 mOhm @ 5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 850pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series FDmesh™ II
Power Dissipation (Max) 90W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STI1160A2 SUNTO CIs Calientes Especializados 15287
STI1160B2 SUNTO CIs Calientes Especializados 50000
STI11NM80 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2786

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