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STGB20NB37LZ
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STGB20NB37LZ Especificaciones técnicas
IGBT 425V 40A 200W D2PAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 425V |
Test Condition | 250V, 20A, 1 kOhm, 4.5V |
Switching Energy | 11.8mJ (off) |
Series | PowerMESH™ |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Type | Standard |
Gate Charge | 51nC |
Current - Collector (Ic) (Max) | 40A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 4.5V, 20A |
Td (on/off) @ 25°C | 2.3µs/2µs |
Supplier Device Package | D2PAK |
Power - Max | 200W |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
IGBT Type | - |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 80A |
STGB20NB37LZ Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para STGB20NB37LZ
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Hojas de datos
STGB20NB37LZ.pdf
Otros incluyen "STGB2" partes
Las siguientes partes incluyen 'STGB2'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
STGB2012-151PT | Original | CIs Calientes Especializados | 16500 |
STGB20H60DF | STMicroelectronics | Transistores - IGBTs - Individual | 2590 |
STGB20H60DF GB20H60DF | ST | CIs Calientes Especializados | 1324 |
STGB20M65DF2 | STMicroelectronics | Transistores - IGBTs - Individual | 33474 |
STGB20N40LZ | STMicroelectronics | Transistores - IGBTs - Individual | 2629 |
STGB20N45LZAG | STMicroelectronics | Transistores - IGBTs - Individual | 3844 |
STGB20NB32LZ | STMicroelectronics | Transistores - IGBTs - Individual | 20000 |
STGB20NB32LZ-1 | ST | CIs Calientes Especializados | 20000 |
STGB20NB32LZT4 | ST | CIs Calientes Especializados | 14822 |
STGB20NB37LZT4 | STMicroelectronics | Transistores - IGBTs - Individual | 15558 |
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