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STGB20H60DF Especificaciones técnicas

IGBT 600V 40A 167W D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition 400V, 20A, 10 Ohm, 15V
Switching Energy 209µJ (on), 261µJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 90ns
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 115nC
Current - Collector (Ic) (Max) 40A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 20A
Td (on/off) @ 25°C 42.5ns/177ns
Supplier Device Package D2PAK
Power - Max 167W
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 80A
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STGB20H60DF Documentos

Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para STGB20H60DF

Otros incluyen   "STGB2"   partes

Las siguientes partes incluyen  'STGB2' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STGB2012-151PT Original CIs Calientes Especializados 16500
STGB20H60DF GB20H60DF ST CIs Calientes Especializados 1324
STGB20M65DF2 STMicroelectronics Transistores - IGBTs - Individual 33474
STGB20N40LZ STMicroelectronics Transistores - IGBTs - Individual 2629
STGB20N45LZAG STMicroelectronics Transistores - IGBTs - Individual 3844
STGB20NB32LZ STMicroelectronics Transistores - IGBTs - Individual 20000
STGB20NB32LZ-1 ST CIs Calientes Especializados 20000
STGB20NB32LZT4 ST CIs Calientes Especializados 14822
STGB20NB37LZ STMicroelectronics Transistores - IGBTs - Individual 1079
STGB20NB37LZT4 STMicroelectronics Transistores - IGBTs - Individual 15558

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