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BDW93CFP
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BDW93CFP Especificaciones técnicas
TRANS NPN DARL 100V 12A TO-220FP
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Power - Max | 33W |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 750 @ 5A, 3V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 12A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 100mA, 10A |
Supplier Device Package | TO-220FP |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "BDW93" partes
Las siguientes partes incluyen 'BDW93'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
BDW93 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 1114 |
BDW93 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 7336 |
BDW93 | Rochester Electronics, LLC | Transistores BJT individuales | |
BDW93 | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
BDW93-S | Bourns, Inc. | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2658 |
BDW93A | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2665 |
BDW93A | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2581 |
BDW93A-S | Bourns, Inc. | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2604 |
BDW93A-S | Bourns Inc. | Transistores BJT individuales | |
BDW93B | ST | CIs Calientes Especializados | 2280 |
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