BDW93A-S Especificaciones técnicas

TRANS NPN DARL 60V 12A

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Bourns, Inc.
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Transistor Type NPN - Darlington
Power - Max 2W
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 750 @ 5A, 3V
Current - Collector (Ic) (Max) 12A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3V @ 100mA, 10A
Supplier Device Package TO-220
Packaging Tube
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BDW93 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 1114
BDW93 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 7336
BDW93 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
BDW93 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
BDW93-S Bourns, Inc. Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2658
BDW93A AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2665
BDW93A Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2581
BDW93A-S Bourns Inc. Transistores BJT individuales
BDW93B ST CIs Calientes Especializados 2280
BDW93B-S Bourns, Inc. Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2730

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