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UMA4NTR Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores BJT
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 7 Weeks
Package / Case SOT-353
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e2
Part Status Active
Number of Terminations 5
Terminal Finish Tin/Copper (Sn/Cu)
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 150mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Application SWITCHING
Max Collector Current 100mA
Transition Frequency 250MHz
hFE Min 100
VCEsat-Max 0.3 V
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Number of Pins 5
Published 2012
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature DIGITAL
Voltage - Rated DC -50V
Terminal Form GULL WING
Current Rating -100mA
Pin Count 5
Polarity PNP
Power Dissipation 150mW
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Max Breakdown Voltage 50V
DC Current Gain-Min (hFE) 100
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
UMA4N ROHM CIs Calientes Especializados 1751
UMA4N TR LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 24000
UMA4NT1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 618
UMA4NT1 ON Semiconductor Matrices de transistores BJT
UMA4NT1 Rochester Electronics, LLC Matrices de transistores BJT
UMA4NT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2610
UMA4NT1G ON Semiconductor Matrices de transistores BJT
UMA4NTR LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 6213

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