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UMA4NT1G Especificaciones técnicas

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W SC70

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) -
Power - Max 150mW
Package / Case 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Supplier Device Package SC-88A (SC-70-5 / SOT-353)
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Otros incluyen   "UMA4N"   partes

Las siguientes partes incluyen  'UMA4N' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
UMA4N ROHM CIs Calientes Especializados 1751
UMA4N TR LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 24000
UMA4NT1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 618
UMA4NT1 ON Semiconductor Matrices de transistores BJT
UMA4NT1 Rochester Electronics, LLC Matrices de transistores BJT
UMA4NT1G ON Semiconductor Matrices de transistores BJT
UMA4NTR LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 6213
UMA4NTR ROHM Semiconductor Matrices de transistores BJT

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