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SH8K41GZETB Especificaciones técnicas

MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 20 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2014
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Power - Max 1.4W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 3.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.6nC @ 5V
Continuous Drain Current (ID) 3.4A
FET Feature Logic Level Gate
Rds On Max 130 mΩ
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Supplier Device Package 8-SOP
Packaging Cut Tape (CT)
Part Status Active
Max Power Dissipation 1.4W
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.4A
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Input Capacitance 600pF
Drain to Source Resistance 90mOhm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Otros incluyen   "SH8K4"   partes

Las siguientes partes incluyen  'SH8K4' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SH8K41 ROHM CIs Calientes Especializados 13044
SH8K41GZETB LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2843
SH8K4TB ROHM CIs Calientes Especializados 480
SH8K4TB MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 19417
SH8K4TB1 LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 3838
SH8K4TB1 ROHM Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
SH8K4TB1 IC LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 515

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