SH8K4TB1 Especificaciones técnicas

MOSFET 2N-CH 30V 9A SOP8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17 mOhm @ 9A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1190pF @ 10V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SOP
Power - Max 2W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 5V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SH8K41 ROHM CIs Calientes Especializados 13044
SH8K41GZETB LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2843
SH8K41GZETB ROHM Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
SH8K4TB ROHM CIs Calientes Especializados 480
SH8K4TB MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 19417
SH8K4TB1 ROHM Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
SH8K4TB1 IC LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 515

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