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RGW80TS65DGC11 Especificaciones técnicas

650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / IGBTs individuales
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 17 Weeks
Package / Case TO-247-3
Transistor Element Material SILICON
Part Status Active
Number of Terminations 3
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Power - Max 214W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Turn On Time 59 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 40A
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 160A
Switching Energy 760μJ (on), 720μJ (off)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Position SINGLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Reverse Recovery Time 92ns
Current - Collector (Ic) (Max) 78A
Test Condition 400V, 40A, 10 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 228 ns
Gate Charge 110nC
Td (on/off) @ 25°C 44ns/143ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RGW80TK65DGVC11 LAPIS Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2785
RGW80TK65DGVC11 ROHM Semiconductor IGBTs individuales
RGW80TK65GVC11 LAPIS Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2632
RGW80TK65GVC11 ROHM Semiconductor IGBTs individuales
RGW80TS65DGC11 LAPIS Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2779
RGW80TS65GC11 LAPIS Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2764
RGW80TS65GC11 ROHM Semiconductor IGBTs individuales

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