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RGW80TK65GVC11
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RGW80TK65GVC11 Especificaciones técnicas
650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Test Condition | 400V, 40A, 10 Ohm, 15V |
Switching Energy | 760µJ (on), 720µJ (off) |
Power - Max | 81W |
Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Detailed Description | IGBT Trench Field Stop 650V 39A 81W Through Hole TO-3PFM |
Current - Collector (Ic) (Max) | 39A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 40A |
Td (on/off) @ 25°C | 44ns/143ns |
Supplier Device Package | TO-3PFM |
Package / Case | TO-3PFM, SC-93-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Manufacturer Standard Lead Time | 15 Weeks |
Input Type | Standard |
Gate Charge | 110nC |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 160A |
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Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen 'RGW80'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
RGW80TK65DGVC11 | LAPIS Semiconductor | Transistores - IGBTs - Individual | 2785 |
RGW80TK65DGVC11 | ROHM Semiconductor | IGBTs individuales | |
RGW80TK65GVC11 | ROHM Semiconductor | IGBTs individuales | |
RGW80TS65DGC11 | LAPIS Semiconductor | Transistores - IGBTs - Individual | 2779 |
RGW80TS65DGC11 | ROHM Semiconductor | IGBTs individuales | |
RGW80TS65GC11 | LAPIS Semiconductor | Transistores - IGBTs - Individual | 2764 |
RGW80TS65GC11 | ROHM Semiconductor | IGBTs individuales |
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