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RGTH60TS65GC11 Especificaciones técnicas

IGBT 650V 58A 197W TO-247N

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / IGBTs individuales
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 17 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Published 2014
Part Status Active
Number of Terminations 3
Max Power Dissipation 194W
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Element Configuration Single
Power - Max 197W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 58A
Collector Emitter Saturation Voltage 1.6V
Test Condition 400V, 30A, 10 Ω, 15V
Continuous Collector Current 30A
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 120A
REACH SVHC Unknown
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 650V
Collector Emitter Breakdown Voltage 650V
Turn On Time 67 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 30A
Turn Off Time-Nom (toff) 179 ns
Gate Charge 58nC
Td (on/off) @ 25°C 27ns/105ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RGTH60TK65DGC11 ROHM Semiconductor IGBTs individuales
RGTH60TK65GC11 ROHM Semiconductor IGBTs individuales
RGTH60TS65D LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 670
RGTH60TS65D IC LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 478
RGTH60TS65DG LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 860
RGTH60TS65DGC11 LAPIS Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 746
RGTH60TS65DGC11 ROHM Semiconductor IGBTs individuales
RGTH60TS65GC11 LAPIS Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2307

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