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RGTH60TS65DGC11
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RGTH60TS65DGC11 Especificaciones técnicas
IGBT 650V 58A 194W TO-247N
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Test Condition | 400V, 30A, 10 Ohm, 15V |
Switching Energy | - |
Reverse Recovery Time (trr) | 58ns |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Input Type | Standard |
Gate Charge | 58nC |
Current - Collector (Ic) (Max) | 58A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 30A |
Td (on/off) @ 25°C | 27ns/105ns |
Supplier Device Package | TO-247N |
Power - Max | 194W |
Package / Case | TO-247-3 |
Mounting Type | Through Hole |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 120A |
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
RGTH60TK65DGC11 | ROHM Semiconductor | IGBTs individuales | |
RGTH60TK65GC11 | ROHM Semiconductor | IGBTs individuales | |
RGTH60TS65D | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 670 |
RGTH60TS65D IC | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 478 |
RGTH60TS65DG | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 860 |
RGTH60TS65DGC11 | ROHM Semiconductor | IGBTs individuales | |
RGTH60TS65GC11 | LAPIS Semiconductor | Transistores - IGBTs - Individual | 2307 |
RGTH60TS65GC11 | ROHM Semiconductor | IGBTs individuales |
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