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RGT00TS65DGC11 Especificaciones técnicas

650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / IGBTs individuales
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 17 Weeks
Package / Case TO-247-3
Transistor Element Material SILICON
Published 2016
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Power - Max 277W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Turn On Time 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 150A
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Position SINGLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Reverse Recovery Time 54ns
Current - Collector (Ic) (Max) 85A
Test Condition 400V, 50A, 10 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 225 ns
Gate Charge 94nC
Td (on/off) @ 25°C 42ns/137ns
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RGT00TS65DGC11 fabricantes de marca: ROHM Semiconductor, Bonchip existencias, RGT00TS65DGC11 precio de referencia. RGT00TS65DGC11 parámetros, RGT00TS65DGC11 Hoja de datos PDF y descarga de la descripción del diagrama de pines. Puede usar el RGT00TS65DGC11 Conectores enchufables, DSP Hoja de datos PDF, buscar RGT00TS65DGC11 diagrama de pines y diagrama de circuito y método de uso de la función, RGT00TS65DGC11 tutoriales de electrónica. Puedes descargarlos desde el Bonchip.
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