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RGT00TS65DGC11 Especificaciones técnicas

650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Test Condition 400V, 50A, 10 Ohm, 15V
Switching Energy -
Reverse Recovery Time (trr) 54ns
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 10 Weeks
Input Type Standard
Gate Charge 94nC
Current - Collector Pulsed (Icm) 150A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A
Td (on/off) @ 25°C 42ns/137ns
Supplier Device Package TO-247N
Power - Max 277W
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type Trench Field Stop
Detailed Description IGBT Trench Field Stop 650V 85A 277W Through Hole TO-247N
Current - Collector (Ic) (Max) 85A
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