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RE1J002YNTCL Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 1.2V DRIVE EMT3FM

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Active
Number of Terminations 3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form FLAT
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Turn On Delay Time 5 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 800mV @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 200mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 0.9V 4.5V
Fall Time (Typ) 43 ns
Continuous Drain Current (ID) 200mA
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.2A
Drain to Source Breakdown Voltage 50V
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SC-89, SOT-490
Weight 29.993795mg
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2012
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 150mW Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2 Ω @ 200mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 26pF @ 10V
Rise Time 8ns
Vgs (Max) ±8V
Turn-Off Delay Time 17 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 8V
Drain-source On Resistance-Max 2.8Ohm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Otros incluyen   "RE1J0"   partes

Las siguientes partes incluyen  'RE1J0' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RE1J002YN ROHM CIs Calientes Especializados 2751
RE1J002YN TCL ROHM CIs Calientes Especializados 2579
RE1J002YN TL ROHM CIs Calientes Especializados 12815
RE1J002YNTCL LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2505

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