FDD7N25LZTM Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series UniFET™
Power Dissipation (Max) 56W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.2A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package D-Pak
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550 mOhm @ 3.1A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names FDD7N25LZTM-ND FDD7N25LZTMTR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 11 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 635pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Detailed Description N-Channel 250V 6.2A (Tc) 56W (Tc) Surface Mount D-Pak
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FDD7N20 FAIRCHI CIs Calientes Especializados 860
FDD7N20 MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 601
FDD7N20TM Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 623
FDD7N20TM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 35855
FDD7N20TM ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FDD7N20TM IC Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 434
FDD7N20TM MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 2937
FDD7N25LZ FAIRCHI CIs Calientes Especializados 5233
FDD7N25LZTM Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1039
FDD7N25LZTM ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales

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