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QH8KA4TCR Especificaciones técnicas
30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 20 Weeks |
Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 8 |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 2 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17m Ω @ 7A, 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 9A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 40A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 6.2 mJ |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2017 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
JESD-30 Code | R-PDSO-F8 |
Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
Power - Max | 1.5W |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.017Ohm |
DS Breakdown Voltage-Min | 30V |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
QH8KA4TCR Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para QH8KA4TCR
-
Hojas de datos
Otros incluyen "QH8KA" partes
Las siguientes partes incluyen 'QH8KA'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
QH8KA1 | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 150000 |
QH8KA1 TCR | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 1744 |
QH8KA1TCR | LAPIS Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2694 |
QH8KA1TCR | ROHM Semiconductor | Matrices de transistores MOSFETs | |
QH8KA2 | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 150000 |
QH8KA2TCR | LAPIS Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2783 |
QH8KA2TCR | ROHM Semiconductor | Matrices de transistores MOSFETs | |
QH8KA4 | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 160000 |
QH8KA4 TCR | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 3000 |
QH8KA4TCR | LAPIS Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2586 |
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