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QH8KA2TCR Especificaciones técnicas

Mosfet Array

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Transistor Element Material SILICON
Part Status Discontinued
Number of Terminations 8
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 12A
Avalanche Energy Rating (Eas) 1.5 mJ
Drain to Source Resistance 25mOhm
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Surface Mount YES
Packaging Cut Tape (CT)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Form FLAT
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PDSO-F8
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Transistor Application SWITCHING
Drain Current-Max (Abs) (ID) 4.5A
DS Breakdown Voltage-Min 30V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Otros incluyen   "QH8KA"   partes

Las siguientes partes incluyen  'QH8KA' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
QH8KA1 LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 150000
QH8KA1 TCR LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 1744
QH8KA1TCR LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2694
QH8KA1TCR ROHM Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
QH8KA2 LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 150000
QH8KA2TCR LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2783
QH8KA4 LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 160000
QH8KA4 TCR LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 3000
QH8KA4TCR LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2586
QH8KA4TCR ROHM Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs

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