MP6K12TCR Especificaciones técnicas

MOSFET 2N-CH 30V 5A MPT6

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 6-SMD, Flat Leads
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2011
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Base Part Number *K12
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Power - Max 2W
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 5V
Continuous Drain Current (ID) 5A
Drain-source On Resistance-Max 0.063Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 30V
FET Feature Logic Level Gate
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Obsolete
Number of Terminations 6
Max Power Dissipation 2W
JESD-30 Code R-PDSO-F6
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Case Connection DRAIN
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42m Ω @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 5A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 12A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MP6K11TCR LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2526
MP6K11TCR ROHM Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
MP6K12 LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 533
MP6K12TCR LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2668
MP6K13 ROHM CIs Calientes Especializados 9088
MP6K13 TCR ROHM CIs Calientes Especializados 22066
MP6K13TCR LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 14230
MP6K13TCR ROHM Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
MP6K13TR ROHM CIs Calientes Especializados 12493
MP6K14TCR LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2520

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