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MP6K14TCR Especificaciones técnicas

MOSFET 2N-CH 30V 8A MPT6

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 8A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 470pF @ 10V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package MPT6
Power - Max 2W
Package / Case 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.3nC @ 5V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MP6K11TCR LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2526
MP6K11TCR ROHM Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
MP6K12 LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 533
MP6K12TCR LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2668
MP6K12TCR ROHM Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
MP6K13 ROHM CIs Calientes Especializados 9088
MP6K13 TCR ROHM CIs Calientes Especializados 22066
MP6K13TCR LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 14230
MP6K13TCR ROHM Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
MP6K13TR ROHM CIs Calientes Especializados 12493

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