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IMH21T110 Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores BJT
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 7 Weeks
Package / Case SMD/SMT
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e1
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish TIN SILVER COPPER
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Application SWITCHING
Max Collector Current 600mA
Transition Frequency 150MHz
Max Breakdown Voltage 20V
hFE Min 820
Continuous Collector Current 600mA
Length 3mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Number of Pins 6
Published 2014
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
HTS Code 8541.21.00.75
Max Power Dissipation 300mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Pin Count 6
Polarity NPN
Power Dissipation 300mW
Collector Emitter Voltage (VCEO) 20V
Collector Emitter Breakdown Voltage 20V
Collector Emitter Saturation Voltage 150mV
Emitter Base Voltage (VEBO) 12V
DC Current Gain-Min (hFE) 820
Height 1.2mm
Width 1.8mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Otros incluyen   "IMH21"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IMH21' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IMH21 ROHM CIs Calientes Especializados 5725
IMH21 T110 ROHM CIs Calientes Especializados 20925
IMH21T110 LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 14628

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