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IMH21T110 Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) -
Power - Max 300mW
Package / Case SC-74, SOT-457
Frequency - Transition 150MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 2.5mA, 50mA
Supplier Device Package SMT6
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Original-Reel®
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 820 @ 50mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 600mA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IMH21 ROHM CIs Calientes Especializados 5725
IMH21 T110 ROHM CIs Calientes Especializados 20925
IMH21T110 ROHM Semiconductor Matrices de transistores BJT

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