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IMD6AT108 Especificaciones técnicas

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores BJT
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 7 Weeks
Package / Case SMD/SMT
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e1
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish TIN SILVER COPPER
Min Operating Temperature -55°C
HTS Code 8541.21.00.75
Max Power Dissipation 300mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Max Output Current 100mA
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Application SWITCHING
Max Collector Current 100mA
Transition Frequency 250MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
DC Current Gain-Min (hFE) 100
VCEsat-Max 0.3 V
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Number of Pins 6
Published 2004
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Terminal Form GULL WING
Current Rating 100mA
Pin Count 6
Operating Supply Voltage 50V
Polarity NPN, PNP
Power Dissipation 300mW
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Max Breakdown Voltage 50V
hFE Min 100
Continuous Collector Current 100mA
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Otros incluyen   "IMD6A"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IMD6A' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IMD6A ROHM CIs Calientes Especializados 22076
IMD6A T108 ROHM CIs Calientes Especializados 6422
IMD6AFRA LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 150000
IMD6AT108 LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 201983
IMD6AT109 LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 3214

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