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IMD6AT108 Especificaciones técnicas

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) -
Power - Max 300mW
Package / Case SC-74, SOT-457
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package SMT6
Resistor - Base (R1) (Ohms) 4.7k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Otros incluyen   "IMD6A"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IMD6A' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IMD6A ROHM CIs Calientes Especializados 22076
IMD6A T108 ROHM CIs Calientes Especializados 6422
IMD6AFRA LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 150000
IMD6AT108 ROHM Semiconductor Matrices de transistores BJT
IMD6AT109 LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 3214

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