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EMB10FHAT2R Especificaciones técnicas

PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores BJT
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Package / Case SOT-563, SOT-666
Series Automotive, AEC-Q101
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Emitter Base (R2) 47k Ω
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Reach Compliance Code not_compliant
Power - Max 150mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250μA, 5mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Resistor - Base (R1) 2.2k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Las siguientes partes incluyen  'EMB10' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
EMB10 ROHM CIs Calientes Especializados 5917
EMB10 T2R ROHM CIs Calientes Especializados 37620
EMB10P03G EMC CIs Calientes Especializados 4500
EMB10T2R LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 9661
EMB10T2R ROHM Semiconductor Matrices de transistores BJT

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