EMB10T2R Especificaciones técnicas

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k
Power - Max 150mW
Package / Case SOT-563, SOT-666
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package EMT6
Resistor - Base (R1) (Ohms) 2.2k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
EMB10 ROHM CIs Calientes Especializados 5917
EMB10 T2R ROHM CIs Calientes Especializados 37620
EMB10FHAT2R ROHM Semiconductor Matrices de transistores BJT
EMB10P03G EMC CIs Calientes Especializados 4500
EMB10T2R ROHM Semiconductor Matrices de transistores BJT

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