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DTB713ZMT2L Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT Pre-Biasados
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-723
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e2
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 3
Terminal Finish TIN COPPER
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Base Part Number DTB713
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Max Collector Current 200mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 30V
Max Breakdown Voltage 30V
Resistor - Base (R1) 1 k Ω
Radiation Hardening No
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Published 2009
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
Max Power Dissipation 150mW
Terminal Form FLAT
[email protected]eak Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 3
Polarity PNP
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 140 @ 100mA 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transition Frequency 260MHz
Frequency - Transition 260MHz
Resistor - Emitter Base (R2) 10 k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Las siguientes partes incluyen  'DTB71' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DTB713ZETL LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2743
DTB713ZETL ROHM Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
DTB713ZM ROHM CIs Calientes Especializados 13675
DTB713ZM T2L ROHM CIs Calientes Especializados 5479
DTB713ZMT2L LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 72433

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