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DTB713ZETL Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Power - Max 150mW
Package / Case SC-75, SOT-416
Frequency - Transition 260MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Supplier Device Package EMT3
Resistor - Base (R1) (Ohms) 1k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 140 @ 100mA, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 200mA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DTB713ZETL ROHM Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
DTB713ZM ROHM CIs Calientes Especializados 13675
DTB713ZM T2L ROHM CIs Calientes Especializados 5479
DTB713ZMT2L LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 72433
DTB713ZMT2L ROHM Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados

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