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BSM180D12P2C101 Especificaciones técnicas
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 25 Weeks |
Package / Case | Module |
Operating Temperature | -40°C~150°C TJ |
Published | 2012 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Max Power Dissipation | 1.13kW |
Terminal Form | UNSPECIFIED |
Reach Compliance Code | not_compliant |
JESD-30 Code | R-XUFM-X8 |
Configuration | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Power - Max | 1130W |
Transistor Application | SWITCHING |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 23000pF @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V 1.2kV |
Threshold Voltage | 2.7V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 360A |
FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
Height | 21.1mm |
Width | 45.6mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Screw |
Number of Pins | 10 |
Packaging | Bulk |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 8 |
Terminal Position | UPPER |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 2 |
Number of Channels | 1 |
Case Connection | ISOLATED |
FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 35.2mA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 204A Tc |
Continuous Drain Current (ID) | 180A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 22V |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Nominal Vgs | 2.7 V |
Length | 122mm |
REACH SVHC | No SVHC |
BSM180D12P2C101 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para BSM180D12P2C101
-
Hojas de datos
Otros incluyen "BSM18" partes
Las siguientes partes incluyen 'BSM18'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
BSM180D12P2C101 | LAPIS Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2524 |
BSM180D12P3C007 | LAPIS Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2611 |
BSM180D12P3C007 | ROHM Semiconductor | Matrices de transistores MOSFETs | |
BSM181A4R | SIEMENS | CIs Calientes Especializados | 2880 |
BSM181AR | SIEMENS | Módulos IGBT | 2988 |
BSM181F | EUPEC | CIs Calientes Especializados | 2999 |
BSM181FR | SIEMENS | Módulos IGBT | 2729 |
BSM181R | SIEMENS | CIs Calientes Especializados | 2731 |
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