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BSM180D12P2C101 Especificaciones técnicas

MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 35.2mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Packaging Bulk
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 180A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package Module
Power - Max 1130W
Package / Case Module
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 23000pF @ 10V
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
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Las siguientes partes incluyen  'BSM18' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BSM180D12P2C101 ROHM Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
BSM180D12P3C007 LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2611
BSM180D12P3C007 ROHM Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
BSM181A4R SIEMENS CIs Calientes Especializados 2880
BSM181AR SIEMENS Módulos IGBT 2988
BSM181F EUPEC CIs Calientes Especializados 2999
BSM181FR SIEMENS Módulos IGBT 2729
BSM181R SIEMENS CIs Calientes Especializados 2731

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BSM180D12P2C101 fabricantes de marca: LAPIS Semiconductor, Bonchip existencias, BSM180D12P2C101 precio de referencia. BSM180D12P2C101 parámetros, BSM180D12P2C101 Hoja de datos PDF y descarga de la descripción del diagrama de pines. Puede usar el BSM180D12P2C101 Conectores enchufables, DSP Hoja de datos PDF, buscar BSM180D12P2C101 diagrama de pines y diagrama de circuito y método de uso de la función, BSM180D12P2C101 tutoriales de electrónica. Puedes descargarlos desde el Bonchip.
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