BSM120D12P2C005 Especificaciones técnicas

MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 25 Weeks
Package / Case Module
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2013
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Subcategory FET General Purpose Powers
Terminal Position UPPER
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 2
Number of Channels 1
Case Connection ISOLATED
Transistor Application SWITCHING
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 14000pF @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V 1.2kV
Threshold Voltage 2.7V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 240A
FET Feature Silicon Carbide (SiC)
Height 21.1mm
Width 45.6mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Screw
Number of Pins 10
Packaging Bulk
Part Status Active
Number of Terminations 8
Max Power Dissipation 780W
Terminal Form UNSPECIFIED
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-XUFM-X8
Configuration SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.7V @ 22mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A Tc
Continuous Drain Current (ID) 120A
Gate to Source Voltage (Vgs) 22V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Nominal Vgs 2.7 V
Length 122mm
REACH SVHC Unknown
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Las siguientes partes incluyen  'BSM12' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BSM1200GA120DN2 EUPEC Módulos IGBT 2565
BSM120D12P2C005 LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2530
BSM121AR IGBT Module Módulos IGBT 2785
BSM121R SIEMENS CIs Calientes Especializados 2931

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