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BSM120D12P2C005
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BSM120D12P2C005 Especificaciones técnicas
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.7V @ 22mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
FET Feature | Standard |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | Module |
Power - Max | 780W |
Package / Case | Module |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14000pF @ 10V |
FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
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Otros incluyen "BSM12" partes
Las siguientes partes incluyen 'BSM12'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
BSM1200GA120DN2 | EUPEC | Módulos IGBT | 2565 |
BSM120D12P2C005 | ROHM Semiconductor | Matrices de transistores MOSFETs | |
BSM121AR | IGBT Module | Módulos IGBT | 2785 |
BSM121R | SIEMENS | CIs Calientes Especializados | 2931 |
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